尖晶石的形成对电解铝体性能的影响
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- 发布时间:2013-07-23
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摘 要:研究了MgO添加量达到18%时对电解铝体密度、相组成、显微结构、机械性能和绝缘性能的影响。得出结论,添加MgO提高了致密度,增加MgO添加量促进了镁铝尖晶石相的生成,对介电性和机械性有显著影响。尖晶石相的形成使体积电阻率提高约45%,在100Hz-50kHz频率范围内,它还改进了电容率和Tanδ。
关键词:介电性;镁铝尖晶石;电阻率;电容率;机械性能;镁质耐火材料
中图分类号:TQl75.713.3 文献标识码:A 文章编号:1000—7563(2004)04—0044—041
1前言
众所周知,将镁铝尖晶石颗粒加入到镁质耐火材料中提高了其由热导致的断裂性和使用寿命。Yano研究了快速中子照射对镁铝尖晶石单晶的机械性能的影响,指出尖晶石对缺陷聚集体的形成有极好的抵抗性,在中子照射下发生点缺陷重组。由合成材料组成的镁铝尖晶石用于水泥回转窑及其它一些窑炉。Wang等人从高铝矾土和轻烧镁砂中制得低纯尖晶石,指出试样主要由镁铝尖晶石、某些硅酸盐和几种含钛矿物组成。Al2O3/MgO比值对所有矿物组成均有很大影响,但在尖晶石中的比率与在试样中的比率成正比。Lu等人研究了在没有成核剂存在时,通过后烧结退火,在85%A12O3陶瓷中颗粒边界玻璃相的结晶。他们指出,85%A12O3和等分子数的MgO+SiO2添加剂在1600℃烧结产生的密度比在1500℃烧结时获得的密度要高,这是因为液相烧结。他们把尖晶石颗粒中观察到的缺陷特征归因于在非化学计量成分退火期间发生了簇集。Hokazoho等人制备了有99%理论密度和高比表面积的烧结镁铝尖晶石体,其基体是由均质沉淀法制备的尖晶石粉末制作出来的。粉末在800℃煅烧,压成圆盘形体,然后在1600℃下烧结4h。
发现镁铝尖晶石的密度主要取决于煅烧温度。采用煅烧控制活性并用较低的烧结速率减少了一步烧结的负面影响,在1400℃下煅烧产生91%的致密化程度。Lepkova等人发现,额外添加B2O3和LiF或CaF2或TiO2促进了尖晶石形成、降低了烧结温度并改进了最终产品的性能。Kim等人观察到,当MgO含量很低时,少数A1zO,颗粒大幅生长。当MgO含量增加时,加速了整个颗粒戊长过程,并获得了一个细的单峰粒化显微结构。在MgO气氛下烧结Al2O3,促进了MgO颗粒成长。有人提出或者是通过降低边界能量或者是通过使界面结构粗糙来使MgO促进Al2O3颗粒成长。该项工作的目的是研究镁铝尖晶石的形成对铝电解瓷体性能的影响。
2材料和方法
用来配制不同实验混合物的主要原料是精选的Tieh粘土、钾长石、菱镁矿和化学方法提纯的α—Al2O3,相应原料的化学成分列于表1。研究的试样的不同配比列于表2。借助于半干成型法,在40MPa压力下制备了25mm(直径)×3mm(厚)、50mm(直径)×2mm(厚)的盘状试样及7.0cm×1.0cm×1.0cm的棒状试样,以便分别测定物理、电和机械性能。试样在110℃下干燥,然后在1400℃~1550℃之间烧结。烧结程序包括加热、在最高温度下保温lh并冷却到室温2h。用阿基米德法测定体积密度、吸水率和显气孔率,用大量程兆欧表测定体积电阻率,用Hiok I 3532 Hi Tester仪测定室温和1V下、频率从100Hz~50kHz的烧结体的绝缘性。采用三点法,用Instron 1128万能试验仪测定了抗折强度。采用带有铜屏极和Ni过滤器的菲利普仪1700型,借助于X-射线衍射分析来鉴别烧结体中形成的相。作为内部标准,将CaF2添加到试样中。用固定在EDAX装置上的扫描电子显微镜Jeol TSM T200来研究显微结构。清洗、干燥在最佳条件下烧结后的侵蚀试样,在测试前喷上一层金粉。
3结果和讨论
图1示出烧结体在1400℃~1550℃之间烧结时,其体积密度和吸水率与温度之间的关系。很显然,由于铝基体上的钾长石被镁砂所替代,导致基体体积密度的增加(表3)。这可能是因为基体中的刚玉含量增加,消耗莫来石相而形成尖晶石相的缘故(表4)。M5试样含有34%莫来石和28%刚玉,无尖晶石相,,体积密度为2.70g·cm-3。而M20试样有很高的刚玉含量(54%),具有较高的体积密度值,为2.94g·cm–3。当添加4.5%MgO时很难获得致密化。增加MgO添加量到9%直至18%,提高了实验温度50℃。Bennison和Harmer指出,MgO对控制Al2O3的不规则颗粒成长非常有效,因此不管Al2O3纯度如何、初始粒度及烧结条件,都可获得高密度。
不同配比的半定量性XR分析表明,添加MgO阻止了莫来石的形成,同时促进了刚玉的再结晶。在添加9%(质量)MgO时,检测了镁铝尖晶石。似乎在MgO存在时莫来石溶解。在尖晶石形成时消耗Al2O3,而其SiO2则形成玻璃相。
抗折强度结果是基体相组成的反映。莫来石含量最高的M5试样也显示出最高的抗折强度结果,而M10和M15几乎示出同样结果。M20抗折强度的提高是由于尖晶石相的形成以及刚玉相的增加。图2示出了配料M5的良好结晶的Al2O3晶粒。在同一显微图中,初始莫来石的区域可以被轻易测出。图3中示出了二次莫来石和初始莫来石区域的网状物及一些Al2O3晶粒。增加MgO含量达9%使Al2O3晶粒不规则颗粒成长,如图4所示。在M20中不规则颗粒成长清晰可见,如图5所示。ParK和Yoon指出,当同时添加MgO和SiO2时,在粗颗粒边界处发生不规则颗粒成长。它们的结果表明,Al2O3和SiO2或Al2O3和CaO中不规则颗粒成长的发生与多面体直的颗粒界面的形成有关。图5的显微结构显示尖晶石晶粒被Al2O3晶粒和Al2O3的不规则颗粒成长所包围。正如Clarke所假设的,在致密化的最终阶段,当平均粒度达到临界值且气孔总表面积可忽略不计时,颗粒边界杂质含量将超过形成晶间玻璃膜的临界值。玻璃形成杂质的含量越高,在不规则颗粒成长突然发生这一点的颗粒粒度就会越小。
使MgO含量从4.5%增加到18%,提高了电容电阻率约45%,这是由于气孔率降低及镁铝尖晶石结晶相的形成之缘故。Mg2+离子实际上影响到了电容率。Kingery等人指出,碱土玻璃是弱离子导体,即大的二价离子(如Sr2+、Ba2+、Ca2+和Mg2+)被看作阻塞离子,这些离子可阻止其它离子迁移。当然,将MgO添加到电陶瓷体中,对介电绝缘性的改进影响很大。图6(a、c)表明,随频率增加,电容率(ε)和绝缘损失减少,在低频区,它们的值很高。对所有试样,ε都示出了异常分散性。这可能归因于dc传导率或可能堆积在陶瓷体表面上的水的吸收。图6(b)显示,损失因数(tanδ)随频率而降低。在频率极低时tanδ稍有增加,除以上提到的原因外,还与高氧空位密度有关(即,Al2O2晶格中MgO固体溶解引起氧空位的形成)。从获得的结果中可以得出结论,在l00Hz~50kHz频率范围内,这些试样可用于绝缘材料。
4 结论
由这些结果可以得出结论,添加MgO提高了致密性。增加MgO含量,促进了镁铝尖晶石相的形成,极大地影响了电性能和机械性能。尖晶石相的形成提高了体积电阻率约45%,在100Hz~50kHz频率之间,还改进了电容率和tanδ。
【中国镁质材料网 采编:ZY】